据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
4 月 8 日消息，国外科技媒体 Windows Latest 几周前受邀前往高通位于圣迭戈的总部，亲身体验了骁龙 X Elite 平台产品，在最新博文中分享了跑分、游戏实测和 NPU 性能等相关信息。跑分该媒体使用 3D Mark、Jetstream 等软件进行了相关测试，IT之家基于该媒体报道，附上 23W 骁龙 X Elite 处理器（系统瓦数，而非封装瓦数）和英特尔酷睿 Ultra 7 155H 处理器的跑分对比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
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高通 骁龙 X Elite 芯片 AI
怎么证明企业对某个市场的未来充满信心？频繁来华喊口号还是推定制芯片？一边提升销售预期一边减少研发团队？或者是缩减产能加大宣传力度？商业行为还真是要靠真金白银才能体现诚意，对中国市场最有信心的表示当然是加大中国市场的投资力度。 3月27日，美光科技举办了新厂房动工奠基仪式，宣告2023年6月公布的美光西安工厂价值43亿元人民币的扩建工程正式破土动工，该项目是2020年以来国外半导体企业在国内最大的工厂投资建设工程。据悉，这个项目除了加建新厂房，还会引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，例如移动DRAM、N
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美光 DRAM
"极致数字化"的时代已然拉开帷幕，全新水平的复杂数据和生成式 AI
的"化学效应"，正在加速提升自动化工作流的智能水平，帮助企业拥有更广泛且有竞争力的业务影响，同时通过实时洞察和决策来加速和扩展企业内部数字化转型的议程。据IBM
商业价值研究院近期针对全球范围内2,000 多名首席级高管开展的一项AI和自动化调研的洞察报告显示，在生成式 AI 采用和数据主导式创新领域处于前沿的企业已经收获了巨大的回报，其年净利润要比其他组织高出 72%，年收入增长率要高出
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IBM X-POWER 源卓微纳 AI 制造业智能化
IT之家 3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。随着 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV)
技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器
(HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存储 DRAM MUF技术
三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
据 IDC 预测，从 2021 年到 2027 年，作为数字孪生的新型物理资产和流程建模的数量将从 5% 增加到 60%。尽管将资产行为中的关键要素数字化并非一种全新概念，但数字孪生技术从精确传感到实时计算，再到将海量数据转为深度洞察，从多方面进一步推动了设备和运营系统优化，从而实现扩大规模并缩短产品上市时间。此外，启用人工智能/机器学习 (AI/ML) 模型将有助于提高流程效率、减少产品缺陷，实现出色的整体设备效率 (OEE)。当我们了解了上述需求的复杂性和面临的挑战，就能意识到内存与存储对于实现数字孪
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数字孪生 DRAM 机器学习
三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发（R&D）机构，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部（DSA）的硅谷总部之下运营，由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来，三星在随后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市场份额要明显高于其他厂商，但仍需要不断开发新的技术、新的产品，以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
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三星 内存 DRAM 芯片 美光
韩国存储器大厂SK海力士透露，因市况好转，考虑在第一季增产部分特殊DRAM，市场担心稼动率回升，破坏以往存储器大厂减产提价共识，恐不利后续DRAM涨势。观察16日存储器族群股价，包括钰创、华邦电、南亚科、点序、十铨、品安、晶豪科等，股价跌幅逾2％，表现较大盘弱势。惟业界人士认为，包括三星、SK海力士及美光等三大原厂产能，多往1-alpha／beta先进制程升级，以满足获利较佳DDR5及高带宽存储器（HBM）需求，预期利基型DRAM后市仍呈正向趋势。SK海力士执行长郭鲁正先前在2024年拉斯韦加斯消费性电子
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存储器 DRAM TrendForce
TrendForce集邦咨询表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原厂认为持续性减产仍有其必要，以维持存储器产业的供需平衡。PC
DRAM方面，由于DDR5订单需求尚未被满足，同时买方预期DDR4价格会持续上涨，带动买方拉货动能延续，然受到机种逐渐升级至DDR5影响，对DDR4的位元采购量不一定会扩大。不过，由于DDR4及DDR5的售价均尚未达到原厂目标，加上买方仍可接受第一季续涨，故预估整体PC
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存储厂商 DRAM TrendForce
1月1日消息，据供应链最新消息称，SSD产品九个季度以来首次上涨，而厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价。数据显示，2023年10-12月期间SSD代表性产品TLC 256GB批发价为每台25.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台48.5美元，皆较前一季度（2023年7-9月）上涨9%，也都是九个季度以来（2021年7-9月以来）首度上涨。自2023下半年以来，存储芯片价格一直在上涨。虽然DRAM价格上涨较为温和，约20%，但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。调研机构TrendFo
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SSD 涨价 DRAM
12月22日消息，据报道，Adroit Market Research预计，全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长，到2032年将达到1530亿美元，2023年至2032年复合年增长率 (CAGR) 为10.3%。报告显示，半导体器件市场将从2022年的$43B增长到2028年的$84.3B，复合年增长率高达11.9%。目前的市场表明，到2022年，每辆汽车的半导体器件价值约为540美元，在ADAS、电气化等汽车行业大趋势下，到2028年，该数字将增长至约912美元。电动化和ADAS是技术变革的主要驱
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